Name: TOROSUS DDR4 Memory SODIMM Series
Brand: GETM
Availability: InStock
Rating: 4.9 (42 reviews)

TOROSUS Memoria DDR4 Serie SODIMM

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Mayor capacidad de respuesta del sistema - La memoria DDR4 para portátiles ofrece un rendimiento mejorado en comparación con DDR3, permitiendo un acceso a datos más rápido y una respuesta al sistema para una multitarea y un rendimiento de aplicación más fluidos.

Reducción del consumo de energía - Los módulos de memoria DDR4 funcionan a niveles de voltaje más bajos en comparación con DDR3, lo que resulta en un menor consumo energético y una mayor duración de la batería para portátiles, lo que los hace ideales para la computación móvil.

QUalidadUnSsurance - TOROSUS memoria DDR incorpora un diseño de placa PCB de 6 capas para garantizar tanto estabilidad como transmisión de alto rendimiento. Además, integra Nor Flash de primer nivel para garantizar una calidad y compatibilidad superior del producto.

Fabricante fiable de memoria para portátiles- TOROSUS emplea rigurosos estándares de inspección entrantes, procesos profesionales de producción y estrictos métodos de gestión de calidad para ofrecer una gama de productos de memoria DDR diseñados para un uso duradero. Nuestros productos cuentan con una amplia compatibilidad, estabilidad excepcional, rendimiento superior en lectura y escritura y una integración fluida con plataformas informáticas convencionales.

Capacidades ampliadas - Disponible en DDR4 RAM 4GB, DDR4 RAM 8GB, DDR4 RAM 16GB, DDR4 RAM 32GB capacidades y cHaz la capacidad correspondiente según las necesidades personales.

TOROSUS ESPECIFICACIONES DE RAM DE LA SERIE UDIMM DDR4
Serie	Serie DDR4 SODIMM
Marca	TOROSUS
Capacidad	4GB		8GB			16GB		32GB
Número de modelo	DDR4-NB-4GB		DDR4-NB-8GB			DDR4-NB-16GB		DDR4-NB-32GB
EAN	6935515102700	6935515103097	6935515102717	6935515102731	6935515102755	6935515102748	6935515102762	6935515102779	6935515102786
Velocidad / Frecuencia de memoria	2400MHz	2666MHz	2400MHz	2666MHz	3200MHz	2666MHz	3200MHz	2666MHz	3200MHz
Ancho de banda de memoria (GB/s)	19200		21300			21300		21300
Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4)	1Rx8		1Rx8			2Rx8		2Rx8
Latencia CAS	CL15-15-15-35	CL19-19-19-43	CL15-15-15-35	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52	CL19-19-19-43	CL22-22-22-52
Voltaje de funcionamiento	1,2V
No. de Memory IC	4//8//16
Consumo de energía	3W
Controlador IC	NO
Soporte de overclock (SÍ / NO)	NO
ECC (Código de Corrección de Errores) (SÍ/NO)	NO
Peso neto (g)	10g
Peso bruto (g)	25g
Recuento de bolas	260
Soporte OEM/ODM	SÍ
Disipador de calor / Disipador de calor	NO
Factor de forma	SODIMM
Tipo de memoria de ordenador (DRAM/SDRAM)	DRAM
Temperatura de funcionamiento	0-70°C
Temperatura de almacenamiento	-40~85°C
Garantía	3 años
No. de canales de memoria (Simple/Dual)	(Simple/Dual)
Dimensión del producto (Ancho x D x E) en mm	70x30x3mm
Memoria con búfer / sin búfer	Memoria sin búfer
Marca de circuitos integrados de memoria	Micron/Samsung/Sk Hynix

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