Memoria TOROSUS DDR3 Serie SODIMM

  • TOROSUS DDR3 Memory SODIMM Series
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Memoria TOROSUS DDR3 Serie SODIMM


  • Tipo de memoria RAM: DRAM DDR3;
  • Tipo de DIMM: SODIMM;
  • Capacidad: 2 GB / 4 GB / 8 GB;
  • Frecuencia: 1333/1600MHz;
  • Voltaje: 1,35/1,5 V;
  • Rango de temperatura de funcionamiento: 0-75°C;
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -40-75°C;


  • Memoria TOROSUS DDR3 Serie SODIMM

 

  • Mejor solución de actualización de computadora portátil -Para los usuarios con configuraciones de portátiles más antiguas o limitaciones presupuestarias, la RAM DDR3 presenta una opción viable para extender la vida útil de sus sistemas y maximizar su experiencia informática.
 
  • Fácil de usar - Los módulos de memoria TOROSUS DDR3 están disponibles en varias capacidades, lo que permite a los usuarios adaptar sus actualizaciones en función de sus necesidades específicas y limitaciones presupuestarias.
 
  • Mejore el rendimiento de la computadora- Optimice la memoria de su sistema para impulsar el rendimiento de los juegos, la multitarea y el renderizado.
 
  • Portátil fiableProveedor de memoria-TOROSUS emplea rigurosos estándares de inspección entrante, procesos de producción profesionales y estrictos métodos de gestión de calidad para ofrecer una gama de productos de memoria DDR diseñados para un uso duradero. Nuestros productos cuentan con una amplia compatibilidad, una estabilidad excepcional, un rendimiento superior de lectura y escritura y una integración perfecta con las principales plataformas informáticas.
 
  • QCarácterUnseguro - La memoria TOROSUS DDR utiliza un diseño de placa PCB de 6 capas, lo que garantiza la estabilidad y la transmisión de alto rendimiento. Además, integra Nor Flash de nivel A de primer nivel para una calidad y compatibilidad superiores del producto.
 
ESPECIFICACIONES DE RAM DE LA SERIE TOROSUS DDR3 SODIMM
Serie Serie DDR3 SODIMM
Marca TOROSUS
Capacidad 2GB 4GB 8GB
Número de modelo DDR3-NB-2GB DDR3-NB-4GB DDR3-NB-8GB
EAN 6935515102489 6935515102496 6935515102502
Velocidad / frecuencia de la memoria 1333MHz 1600MHz 1600MHz
Ancho de banda de memoria (GB/s) 10700 12800 12800
Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1TX8 1Rx8/2RX8 2Rx8
Latencia CAS CL 9-9-9-24 CL11-11-11-28 CL11-11-11-28
Voltaje de funcionamiento 1,35/1,5 V 1,35/1,5 V 1,35 V/1,5
No. de IC de memoria 8 8/16 8/16
Consumo de energía 6W máx.
IC del controlador Ninguno
Soporte de overclock (SÍ / NO) NO
ECC (Código de corrección de errores) (SÍ/NO) NO
Peso neto (g) 10g
Peso bruto (g) 26 gramos
Recuento de pines 260
Soporte OEM / ODM
Disipador de calor / Disipador de calor NO
Factor de forma SODIMM
Tipo de memoria de computadora (DRAM / SDRAM) DRAM
Temperatura de funcionamiento 0~70°C
Temperatura de almacenamiento -40~85°C
Garantía 3 años
No. de canales de memoria (simple/doble) Soltero
Dimensiones del producto (ancho x profundidad x alto) en mm 68x30x3,2 mm
Memoria con búfer / sin búfer Memoria sin búfer
Marca Memory IC Micron/Samsung/Sk Hynix

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